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性能穩(wěn)定MOS管SVF4N80F【分立器件】     SVF4N80F.D.MJ

分立器件
以士蘭微電子先進、穩(wěn)定的芯片生產線工藝制造平臺和強大的產能為基礎，公司開發(fā)出了多種半導體分立
器件產品，主要應用于高壓功率和特殊結構的器件產品領域，是國內最具規(guī)模的器件供應商，部分產品已
經(jīng)入國際知名品牌企業(yè)并被大量采用。同時，士蘭微電子還大力投入了目前最先進的SiC(碳化硅)和AaN（
氮化鎵）化合物材料功率器件的研發(fā)。
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該類方案主要以士蘭微電子AC-DC產品為主控芯片，以手機充電器、DVD電源、DVB適配器及PC電源設計為主要應用方向。主芯片SD484X系列特性。


內置PWM控制電路和高壓功率MOSFET。相對于控制電路和功率MOSFET分立來說，降低了成本，提高了電路的可靠性。
MOSFET的導通電阻最大值規(guī)格分別有：16.8歐姆、9.6歐姆、6.0歐姆、4.8歐姆、3.6歐姆。對應的峰值電流最大值為：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根據(jù)實際芯片所需的輸出功率進行選擇。
主芯片具有低功耗、低啟動電流和較低的EMI，最高效率可以達到80％以上。
啟動電壓和輸出電壓均可調節(jié)，目前電路可以提供的功率范圍為：窄電壓范圍5~18W，寬電壓范圍7~21W。
內置的15ms軟啟動電路，減小了主芯片啟動時變壓器的應力。
主芯片的開關頻率為67KHz，振蕩產生的頻率抖動，可以降低EMI。
在待機模式下，主芯片進入打嗝模式，從而有效地降低主芯片的待機功耗。
主芯片內部集成了各種異常狀態(tài)保護功能。包括欠壓鎖定，過壓保護，脈沖前沿消隱，過流保護和溫度保護功能。在主芯片發(fā)生保護以后，芯片可以不斷自動重啟，直到系統(tǒng)正常為止。
 
     
 
優(yōu) 勢


   
依托士蘭集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工藝平臺，優(yōu)化了電源構架（正激、反激、半橋、有源箝位、臨界導通、連續(xù)導通），可應用于交直流轉換的電源產品。所涉及到的產品方案性能高，功耗低，屬于綠色電源管理方案，方案實現(xiàn)便利。